[16a-P4-1~29] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-P4-20] Mgイオン注入を用いたGaN縦型pnダイオード構造の電気特性

〇高島 信也¹、上野 勝典¹、稲本 拓朗¹、江戸 雅晴¹、高橋 言緒²、清水 三聡² (1.富士電機、2.産総研)

キーワード：窒化ガリウム、イオン注入、pn接合

GaNへのMgイオン注入により形成したp+/p/n構造の電気特性について報告する。整流性は見られたが順方向立ち上がり電圧が高く、正常なpn接合の振舞いとは異なる。EL発光スペクトルでは深い準位からの発光ピークが強く、欠陥が多く残留していると思われる。高耐圧pnダイオード構造での逆方向耐圧ではnエピ厚に応じ耐圧が変化したが、容量測定異常もあり注入層空乏化が懸念される。注入層欠陥の低減が課題である。