[16a-P4-1~29] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-P4-25] 不揮発メモリ応用へ向けたGaN/AlN共鳴トンネルダイオードの双安定性の評価

〇永瀬 成範¹、高橋 言緒¹、清水 三聡¹ (1.産総研)

キーワード：窒化物半導体、不揮発メモリ、サブバンド間遷移

ピコ秒オーダー動作の高速不揮発メモリ実現に向けて、GaN/AlN共鳴トンネルダイオードの双安定性を評価した。量子井戸でのサブバンド間遷移と電子蓄積効果に起因する双安定性を用いることで、再現性の高いメモリ書き換え動作と良好なデータ保持特性を実現した。