[16a-P5-1~15] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[16a-P5-4] 4H-SiC PiNダイオードの順方向通電劣化における電流密度と積層欠陥拡張起点の関係

〇林 将平^1,2、山下 任^1,3、先崎 純寿¹、宮里 真樹^1,4、呂 民雅^1,4、宮島 將昭^1,4、米澤 喜幸¹、加藤 智久¹、児島 一聡¹、奥村 元¹ (1.産総研、2.東レリサーチセンター、3.昭和電工、4.富士電機)

キーワード：SiC、積層欠陥、PiNダイオード

4H-SiCバイポーラデバイス順方向通電時において、エピタキシャルウェハ内の基底面転位(BPD)を起源とした積層欠陥(SF)の拡張により順方向電圧上昇を引き起こす。BPDは通電時の電子-正孔再結合により30 ^○Si-core部分転位が移動することで部分転位のバーガーズベクトルに応じた三角状または帯状SFに拡張し、通電条件により異なる拡張過程が報告されている。本研究では、SF拡張開始電流密度と起点BPDについて詳細に調査した。