[16p-412-1~20] 13.5 デバイス／集積化技術

[16p-412-18] In-Ga-Zn-O成膜温度が薄膜トランジスタ特性および信頼性に及ぼす影響

〇田中 宏怜¹、東 龍之介¹、古田 守^1,2 (1.高知工科大学、2.総合研究所)

キーワード：薄膜トランジスタ、酸化物半導体

酸化物半導体材料であるIn-Ga-Zn-O(IGZO)は、スパッタリング法による室温成膜においても高い電界効果移動度（～10 cm²/Vs）を示すことから、次世代高移動度薄膜トランジスタ(TFT)のチャネル材料として注目されている[1]。これまでIGZO成膜温度がTFT特性に与える影響に関する報告は存在するが[2]、成膜温度の特性・信頼性影響に関しては未だ明確ではない点が多い。そこで本研究では、IGZO成膜温度がTFT特性及び信頼性に及ぼす影響を検討し、膜物性との関連について検討した。