2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.5 デバイス／集積化技術

[16p-412-1~20] 13.5 デバイス／集積化技術

6.1と13.3と13.5のコードシェアセッションあり

2017年3月16日(木) 13:15 〜 18:30 412 (412)

池田 圭司(東芝)、小林 正治(東大)

18:15 〜 18:30

[16p-412-20] nMOSFET応用に向けた窒化ハフニウムの硫化による二硫化ハフニウム膜の作製

〇篠原 健朗1、宗田 伊理也1、角嶋 邦之1、筒井 一生1、若林 整1 (1.東京工業大学)

キーワード：二硫化ハフニウム