[16p-412-1~20] 13.5 デバイス／集積化技術

[16p-412-5] GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いたダブルゲートトンネルFETにおける不純物濃度調整によるオン電流の向上

〇岩田 真次郎¹、木瀬 信和¹、青沼 遼介¹、宮本 恭幸¹ (1.東工大院理工)

キーワード：トンネルFET、InGaAs、GaAsSb

トンネルFETは、急峻なSSを持つ次世代の低消費電力デバイスとして注目されている。しかし、高いトンネル抵抗によりオン電流が小さいという課題がある。本発表では、GaAsSb/InGaAsのヘテロ接合を持つダブルゲートトンネルFETにおいて，ソース及びドレイン領域の不純物濃度を調整することで、オフ電流を維持したままオン電流を向上させる事が可能であることを実験的に確認したので報告する。