[16p-413-1~11] 13.3 絶縁膜技術

[16p-413-10] Al₂O₃/In_xGa_1-xAs MOS界面特性に与える前処理の効果とその物理モデル

〇横山 千晶¹、張 志宇²、竹中 充^1,2、高木 信一^1,2 (1.東京大工、2.東京大院工)

キーワード：InGaAs、MOS界面、酸化物

前回、Al₂O₃/InGaAs界面では、In組成が大きくなるほど(NH₄)S_x処理よりBHF処理において、より低いD_itが得られることを示した。今回、HF処理とBHF処理とを比較し、BHF処理の本質はNH₃でなくHFであることを示す。また、XPS測定より、As₂O₃が界面のパッシベーションとして働く可能性を示し、最後に前処理に関するD_itと界面欠陥との物理モデルを提案する。