[16p-413-1~11] 13.3 絶縁膜技術

[16p-413-7] La₂O₃/Ge(111)MIS構造に対するLu-doped La₂O₃ キャップ層の効果

〇銭高 真人¹、古荘 仁久¹、山本 圭介²、中島 寛³、浜屋 宏平¹、金島 岳¹ (1.阪大基礎工、2.九大･総理工、3.九大･グローバルイノベーションセンター)

キーワード：半導体