[16p-512-1~10] 薄膜・多層膜の界面イメージング

[16p-512-8] 角度分解トポグラフィーと局所ロッキングカーブ法によるAlイオン注入SiC基板の歪状態の観察－X線侵入深さ依存性―

〇高橋 由美子¹、平野 馨一¹、志村 考功²、長町 信治³ (1.KEK-PF、2.⼤阪⼤院⼯、3.(株)⻑町サイエンスラボ)

キーワード：トポグラフィー、ロッキングカーブ、炭化ケイ素

パワーデバイス用SiC結晶の歪分布を放射光斜入射X線トポグラフィー法で評価している。今回は試料下流にアナライザ結晶を配して角度フィルターとする角度分解トポグラフィーの結果を報告する。