[16p-B5-1~15] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[16p-B5-10] Mg₂Siの化学的負圧を実現するための置換元素探索

〇今井 庸二¹、山本 淳¹、飯田 努²、財部 健一³ (1.産総研、2.東京理科大、3.岡山理科大)

キーワード：Mg2Si、化学圧力

Mg₂Siは環境にやさしい熱電半導体のひとつとして注目を集めているが、n型の条件下において負圧を印加すると、そのSeebeck係数が30-40%増加することが予測されている。系への負圧印加を、合金化による格子定数の変化によって実現できるかを、第一原理計算によって確認することを試みた。