[16p-B6-1~16] 17.2 グラフェン

[16p-B6-10] 多層グラフェンナノリボンの幅が電界効果トランジスタ特性に及ぼす効果

〇根岸 良太¹、山元 克真¹、Reetu Raji Pandey²、藤原 泰造²、田中 啓文²、小林 慶裕¹ (1.阪大院工、2.九工大院)

キーワード：グラフェンナノリボン、電界効果トランジスタ

乱層・多層グラフェンナノリボン（GNR）は、高い伝導度とオン・オフ比の両立可能性が理論的に示されている。我々はこれまでにアンジップ法で作製したGNR上でグラフェン層成長をおこない、乱層構造を持つ多層GNRが形成可能であることを明らかにした。本研究では多層GNRの幅がキャリア伝導特性に及ぼす効果を検証し、ＧＮＲ幅がトランジスタ性能向上の支配的な要因であることを報告する。