[16p-B6-1~16] 17.2 グラフェン

[16p-B6-7] SiCテラス上のquasi-free-standingグラフェンの成長

Vinel Vincent¹、〇関根 佳明¹、日比野 浩樹^1,2、熊倉 一英¹ (1.NTT物性基礎研、2.関西学院大理工)

キーワード：グラフェン、水素インターカレーション、SiCテラス

SiC基板にSi昇華法により成長したグラフェンはSiCのステップをまたいでいるが、ステップを横切る領域では抵抗が大きく輸送特性が劣化する。今回、SiCテラスを数µmの大きさまでステップバンチングさせ、その後、核形成によりテラス上にステップをまたがないquasi-free-standingグラフェンを成長し、微分干渉顕微鏡、原子間力顕微鏡、ラマン散乱分光により観察した。