[16p-E206-1~17] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

△ [16p-E206-14] Analysis of quasi-ballistic hole transport capability of Ge and Si nanowire pMOSFETs by a quantum-corrected Boltzmann transport equation

〇Hajime Tanaka¹, Jun Suda¹, Tsunenobu Kimoto¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:quantum-corrected Boltzmann transport equation, nanowire, germanium

原子論的なモデルに基づき，量子補正ボルツマン輸送方程式を解くことで，GeおよびSiのナノワイヤpMOSFETにおける準バリスティック正孔輸送特性を解析した．GeナノワイヤpMOSFETはトンネルによるリーク電流は大きいものの，オフ電流を抑えるため閾値をシフトした条件下でもSiより大きなオン電流を示した．これは，Geの移動度の高さから期待される透過確率の高さでは無く，注入電流の大きさに由来することがわかった．