[16p-E206-1~17] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[16p-E206-15] 負性容量トランジスタにおける短チャネル効果のデバイスシミュレーションによる予測

〇服部 淳一¹、福田 浩一¹、池上 努¹、太田 裕之¹、右田 真司¹、鳥海 明² (1.産総研、2.東大院工)

キーワード：負性容量、強誘電体、TCAD