[16p-E206-1~17] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[16p-E206-9] 硬X線光電子分光を用いたSi量子ドット多重集積構造の電位分布評価

〇中島 裕太¹、竹内 大智^1,2、牧原 克典¹、大田 晃生¹、池田 弥央¹、宮崎 誠一¹ (1.名大院工、2.学振特別研究員)

キーワード：Si量子ドット、電子放出