[16p-F204-1~15] CS.1 3.13 半導体光デバイス,3.15シリコンフォトニクスのコードシェアセッション

[16p-F204-3] 直接貼付InP/Si基板上1.5µm帯GaInAsPダブルヘテロレーザの発振特性

〇鎌田 直樹¹、西山 哲央¹、大貫 雄也¹、韓 旭¹、ベリヤナヤガム ガンディカッラサン¹、相川 政輝¹、内田 和希¹、杉山 滉一¹、早坂 夏樹¹、下村 和彦¹ (1.上智大)

キーワード：インジウムリンシリコン、レーザダイオード、直接貼付