[16p-P14-1~10] 3.14 光制御デバイス・光ファイバー

[16p-P14-2] 光誘起歳差運動を組み込んだマッハツェンダー型全光デバイスの設計

〇道廣 健斗¹、岩崎 大和¹、西沢 望¹、宗片 比呂夫¹、西林 一彦¹ (1.東工大)

キーワード：光導波路、磁性体

我々は磁性体磁化の光励起歳差運動を利用したスピンメモリの機能を持つ全光デバイスの開発を行っている。これは、マッハツェンダー型光変調器に組み込んだメモリ磁性体の磁化状態を光変調させることで動作する。今回、メモリ部のCo/Pd多層膜による非相反位相シフト量を構造パラメータから最適化した。そして磁化状態変化による全光デバイスの出力光の変化に関する時間波形のシミュレーションを行った。