[16p-P2-1~7] 6.1 強誘電体薄膜

[16p-P2-4] 異なる酸素圧力でPLDにより作製した(K,Na)NbO₃キャパシタの評価

〇玉野 梨加¹、髙田 瑶子¹、岡本 尚樹¹、齊藤 丈靖¹、樋口 宏二²、北島 彰² (1.阪府大院工、2.阪大産研)

キーワード：強誘電体、PLD、酸素圧

高速・低消費電力で不揮発性を有する強誘電体メモリは次世代半導体として利用が期待されているが、有害な鉛系の材料が多用されており、現在非鉛系の代替材料としてKNNが特に注目されている。本研究では、PLD法によりKNNキャパシタを作製し、成膜圧力の違いがKNN薄膜の結晶性とキャパシタの電気特性に及ぼす影響を調査した。