13:30 〜 15:30
[16p-P6-26] BiドープCH3NH3PbX3(X=I,Br)単結晶の光学および電気特性
キーワード:化学ドーピング
我々はハロゲン化金属ペロブスカイト半導体において化学ドーピングによるキャリア制御の実現を目指し、Bi置換したCH3NH3PbX3(X=I,Br)のバルク単結晶を作製した。発光スペクトルの測定の結果、ドープ試料のピークはアンドープ試料に比べ短波長側にシフトした。電気伝導度測定の結果、電気抵抗率はBi置換により減少し、このことはBi添加によるキャリアドーピングに成功したことを示唆している。講演では光学的・電気的特性の詳細について報告する。