[16p-P7-1~36] 13.9 光物性・発光デバイス

[16p-P7-1] シリコン中に形成されたエルビウム不均一分布の３次元アトムプローブ評価

〇清水 康雄¹、涂 远¹、アブデルガファ 愛満²、矢野 真麻²、鈴木 雄大²、谷井 孝至²、品田 高宏³、Prati Enrico⁴、井上 耕治¹、永井 康介¹ (1.東北大金研、2.早大理工、3.東北大CIES、4.IFN-CNR)

キーワード：エルビウム、シリコン、アトムプローブ

シリコン中へのエルビウム（Er）添加により，4f電子の遷移過程を利用した通信波長帯の発光特性に関する研究が盛んに実施されてきた．近年，より高効率な発光特性を得るべく，Erと酸素の共注入効果によるErO_x複合体の形成が注目されているが，これら添加元素分布と発光の直接的な関連を調べる方法は無かった．本講演では，原子レベルで元素の実空間分布を得る３次元アトムプローブ法を用いて解明したErとErO分布の不均一性を報告する．