2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

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[16p-P7-1~36] 13.9 光物性・発光デバイス

2017年3月16日(木) 13:30 〜 15:30 P7 (展示ホールB)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-24] ソルボサーマル法により作製したInNナノ粒子

長久保 準基1、西橋 勉1、村上 裕彦1 (1.アルバック未来研)

キーワード:量子ドット 窒化物 蛍光体 ナノ粒子

量子ドットEL発光デバイスが近年研究されているが経時劣化が問題になっている。そこで我々は優れた発光特性と耐電圧破壊性を持つ窒化物量子ドットの合成プロセス開発を行っている。今回、ソルボサーマル法を用いて金属Inを分解生成しにくいInNナノ粒子の作製方法を開発した。260 °C、10分間の条件で合成したInNナノ粒子からは金属InのX線回折ピークは確認されず、かつ溶液中で1か月以上の安定分散を示した。