[16p-P8-1~23] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [16p-P8-22] フロントゲート型ZnO薄膜トランジスタの低温作製

〇(B)片寄 翔太¹、新坂 龍一¹、野崎 眞次¹、内田 和男¹ (1.電通大)

キーワード：薄膜トランジスタ、紫外線酸化

フレキシブルエレクトロニクスが現在注目を浴びており、薄膜トランジスタの低温作製が求められている。本研究では、紫外線酸化を活用し、ZnO薄膜を作製、その上にSOG塗布膜を用いて高品位ゲート酸化膜を作製した。極薄Alの紫外線酸化によるAl₂O₃層をZnO上に堆積することにより、ゲート酸化膜の絶縁性を高め、フロントゲートZnO薄膜トランジスタの低温作製に成功した。