[17a-301-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [17a-301-6] SiC熱酸化中に発生するSiO₂中の欠陥形成

〇長川 健太¹、洗平 昌晃^1,2、白石 賢二^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：SiC、SiO2、欠陥形成

SiCの熱酸化によって形成されたSiO₂膜およびその界面は欠陥が多いことが知られている。しかしSiの熱酸化によって得られるSiO₂膜とその界面は欠陥が非常に少ない。この違いがなぜ発生するのかを調べた。その結果SiC中のC原子がCO分子と放出される際に、SiO₂中のO原子と反応しCO₂分子を形成し、SiO₂中に酸素空孔欠陥を形成することが分かった。