[17a-301-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[17a-301-7] ドライおよびN₂O酸化により形成したSiO₂/4H-SiCの電子占有欠陥評価

〇渡辺 浩成¹、大田 晃生¹、池田 弥央¹、牧原 克典¹、森 大輔²、寺尾 豊²、宮崎 誠一¹ (1.名大院工、2.富士電機(株))

キーワード：4H-SiC、絶縁膜、光電子分光法