[17a-411-1~11] 6.1 強誘電体薄膜

[17a-411-1] 面内強誘電分極を有するエピタキシャルBaTiO₃薄膜の格子定数の温度依存性

〇(PC)小松 克伊¹、鈴木 一平¹、青木 巧²、濵嵜 容丞¹、安井 伸太郎¹、伊藤 満¹、谷山 智康¹ (1.東工大、2.TDK)

キーワード：強誘電体薄膜

内強誘電性では面内ひずみを電界制御できることから、その上に堆積した材料の電子状態や磁気特性等を変化できる。本研究では強誘電体BaTiO₃に対し引張歪を与えるスピネルMgAl₂O₄基板を用いることで、BaTiO₃エピタキシャル薄膜における面内強誘電分極実現に成功した。さらに、キュリー温度がバルクの120℃に対し220℃程度に上昇していた。これらの結果は、電界によるひずみ制御デバイスへの応用に重要である。