[17a-411-1~11] 6.1 強誘電体薄膜

[17a-411-7] d¹電子配置を有するSr_1-xBa_xVO₃薄膜の合成と電気特性評価

〇京兼 広和¹、清水 啓佑¹、重松 圭¹、北條 元^1,2、東 正樹¹ (1.東工大フロンティア材料研、2.九大)

キーワード：軌道秩序、ペロブスカイト、パルスレーザー堆積法

BaVO₃はトレランスファクターが1.075と大きな値を有し、V⁴⁺がd¹電子配置であるために軌道秩序化によりPbVO₃型の構造をとることが期待される。そこで基板の圧縮応力により巨大なc/a比を与える事を期待し、Sr_1-xBa_xVO₃薄膜の作製を試み、結晶構造と電気特性の評価を行った。結果、Ba置換量0.8までコヒーレント成長を確認し、c/a >1であったBa置換量0.5で絶縁体的挙動を確認した。