2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[17a-419-1~12] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2017年3月17日(金) 09:00 〜 12:15 419 (419)

太田 健介(東芝)

10:15 〜 10:30

[17a-419-6] 熱的安定性の高いSr2RuO4電極を用いた酸化物ヘテロ構造

高橋 竜太1,2、リップマー ミック1 (1.東大物性研、2.JSTさきがけ)

キーワード:酸化物薄膜、強誘電体

強誘電体キャパシター、水分解光電極などの酸化物ヘテロ構造では、電気特性を評価するために、下部電極の薄膜を最初に堆積しなければならない。目的となる薄膜の結晶性を高くするために基板温度を高くすればするほど、下地の電極に利用できる材料は限定されてしまう。特に最近の酸化物薄膜研究では赤外線レーザーを用いた加熱手法によって成膜温度は1000℃以上になり、熱的安定性に優れた電極材料の開発が急務になっている。本研究では1000℃の高温成膜にも耐えられる電極材料としてRuddlesden-Popper相のSr2RuO4薄膜に注目し、強誘電体BaTiO3のヘテロ構造を作製するプロセスに応用した実験について紹介する。