[17a-502-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [17a-502-1] 溶液法IGZO薄膜におけるGa比率が酸素空孔密度に与える影響

〇(M1)落合 祐輔¹、森本 貴明¹、福田 伸子³、大木 義路^1,2 (1.早大先進理工、2.早大材研、3.産総研FLEC)

キーワード：比率、XPS、フォトルミネセンス

溶液法IGZO薄膜のGa比率を0~80%で変化させると、酸素空孔によるPL強度が最小となるGa比率0%(300℃焼成)あるいは40%(800℃焼成)にて、V_G>0でのI_D(オン電流)が最大となる。この結果は、電子散乱中心として働く酸素空孔が少ないと、オン電流が大きくなるという我々の仮説を支持する。さらに、300℃焼成ではGaが酸化物になりにくいため、Ga比率0%でオン電流最大となることを見出した。