[17a-E206-1~14] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[17a-E206-13] トラップ補助型トンネリングに基づく多結晶シリコンの電気伝導モデリング

〇宝玉 充¹、泉田 貴士¹、尾上 誠司¹ (1.東芝SDS社)

キーワード：ポリシリコン、トラップ補助型トンネリング、マルチフォノン遷移

多結晶シリコン中のキャリアが結晶粒界を横切る電気伝導について，新規に物理モデル化した．物理モデルは，SILCやRTNやMONOSなどの局在準位に適用されてきた，マルチフォノン遷移理論に基づくトラップ補助型トンネリングによった．本モデリングにより，これまでは説明できなかった温度依存性の弱い移動度が，再現可能になった．