[17p-301-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[17p-301-10] SiC MOSFETのホール移動度の温度依存性

〇天野 貴章¹、岡本 大¹、原田 信介²、畠山 哲夫²、岩室 憲幸¹、矢野 裕司¹ (1.筑波大工、2.産総研)

キーワード：ホール効果、SiC、MOSFET