[17p-301-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[17p-301-2] 4H-SiC m面上にドライ+ウェット酸化プロセスにより形成されたMOS界面の界面準位密度および電気的ストレスに対する安定性のウェット酸化条件による変化

黒山 滉平¹、平井 悠久¹、山本 建策²、林 真理子²、細川 徳一²、〇喜多 浩之¹ (1.東大院工、2.(株)デンソー)

キーワード：4H-SiC、m面、MOS特性

4H-SiCの熱酸化ではウェットまたはドライ雰囲気で形成された界面品質の違いは大きいが，その違いの原因は明らかではない。本発表ではm面上においてドライ酸化にウェット酸化を組み合わせたプロセスを行った際の界面の電気特性の特徴について，主に界面準位密度と電界ストレスに対するV_fb安定性の観点で議論する。