[17p-304-1~15] CS.2 6.1強誘電体薄膜,13.3絶縁膜技術,13.5デバイス／集積化技術のコードシェア

△ [17p-304-1] スパッタリング法によるY₂O₃-HfO₂強誘電体エピタキシャル薄膜作製とその評価

〇(M1)鈴木 大生¹、三村 和仙²、清水 荘雄³、内田 寛⁴、舟窪 浩^1,2,3 (1.東工大物院、2.東工大総理工、3.東工大元素、4.上智大理工)

キーワード：ハフニウム、強誘電体薄膜