[17p-304-1~15] CS.2 6.1強誘電体薄膜,13.3絶縁膜技術,13.5デバイス／集積化技術のコードシェア

[17p-304-4] (001)Si 基板上にエピタキシャル成長させた HfO₂系絶縁膜の構造解析

〇高田 賢志¹、桐谷 乃輔¹、吉村 武¹、藤村 紀文¹ (1.阪府大院工)

キーワード：HfO2