[17p-P3-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-P3-1] GaN層の表面状態に関する検討

〇水野 愛¹、吉村 翼¹、渡邉 渉¹、五味 敬太¹、安藤 毅¹、篠田 宏之¹、六倉 信喜¹ (1.東京電機大工)

キーワード：窒化ガリウム、昇温脱離ガス分析法、自然酸化膜

本研究では，昇温脱離ガス分析法(Thermal Desorption Spectrometry：TDS)を用いて，エピタキシャル成長したGaN層の表面状態について検討した．その結果，GaN層には比較的低温領域で解離するGa－O結合が存在し，これはGaN層の表面に形成された自然酸化膜(酸化ガリウム)の可能性が高いと解った．