[17p-P3-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [17p-P3-17] GaN系ナノ光デバイスに向けたAlInNの厚膜成長

〇(DC)稲葉 智宏¹、児島 貴徳¹、藤原 康文¹ (1.阪大院工)

キーワード：窒化アルミニウムインジウム

低閾値レーザー実現のため微小共振器構造が注目されており、作製する際には(1)選択ウェットエッチングが可能で、(2)十分に厚い膜厚を成長可能な犠牲層が必要となる。III族窒化物半導体において上述の条件を満たす材料としてはAlInNが考えられるが、十分な膜厚で高品質なAlInNの報告はない。今回我々は高Q値2次元フォトニック結晶を作製するために必要な膜厚を数値解析により求めた後に、成長シーケンスを工夫することで、十分に厚い膜厚で高品質なAlInNの成長に成功したので報告する。