13:30 〜 15:30 [21p-PB6-10] 非ドライエッチングプロセスのSiCトレンチMOSFETデバイス用高温イオン注入マスク形成によるドレイン電流リークの改善 〇川本 一成1、小林 勇介1、藤原 健典2、岡沢 徹2、早坂 惇2、大瀬 直之3、原田 信介1、奥村 元1 (1.産総研、2.東レ、3.富士電機)