10:45 〜 11:00 [21a-141-7] p型4H-SiC エピタキシャル層のVドーピングによる少数キャリア寿命制御 〇村田 晃一1、俵 武志2,3、楊 安麗1、宮澤 哲哉1、土田 秀一1 (1.電中研、2.産総研、3.富士電機)