15:45 〜 16:00 △ [19p-231C-10] 窒素添加LaB6界面制御層によるしきい値電圧制御を用いたペンタセンPseudo-CMOSの堆積温度依存性 〇(D)前田 康貴1、朴 鏡恩1、小松 勇貴1、大見 俊一郎1 (1.東工大工学院)