13:30 〜 15:30 [21p-PB6-5] SOI-Si/4H-SiCの直接貼り合わせとフォトダイオード形成 〇長谷部 史明1、目黒 達也1、牧野 高紘2、大島 武2、田中 保宣3、黒木 伸一郎1 (1.広島大ナノデバイス、2.量研機構、3.産総研)