10:15 〜 10:30 △ [20a-141-6] 高濃度ボディ層を有するSiC MOSFETのゲート特性に着目した界面準位密度評価 〇伊藤 滉二1、小林 拓真1、堀田 昌宏1、須田 淳1、木本 恒暢1 (1.京大院工)