16:00 〜 18:00 [19p-PB7-6] 真空蒸着と低温アニールによるSn媒介GeSnナノドット形成 〇(M2)対馬 和都1、滝田 健介1、俵 毅彦2、舘野 功太2、章 国強2、後藤 秀樹2、岡本 浩1 (1.弘前大理工、2.NTT物性基礎研)