15:45 〜 16:00 [20p-212B-10] 原子層堆積法で成膜したNbN/AlN/NbN トンネル接合素子(NbN-STJ)の電流電圧特性評価 〇浮辺 雅宏1、藤井 剛1、志岐 成友1、大久保 雅隆1 (1.産業技術総合研究所)