[18a-146-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-146-10] PSD法により形成したGaN薄膜の深い準位の評価

〇柴原 啓太¹、上野 耕平¹、小林 篤¹、藤岡 洋^1,2 (1.東大生研、2.JST-ACCEL)

キーワード：半導体、DLTS