[18a-223-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [18a-223-1] トポタクテックフッ素ドープによるSr₂IrO_4-xF_y薄膜の作成

〇丸山 敬裕¹、近松 彰¹、片山 司¹、倉持 建汰^2,3、荻野 拓²、北村 未歩⁴、堀場 弘司⁴、組頭 広志^4,5、長谷川 哲也¹ (1.東大院理、2.産総研、3.東理大、4.KEK、5.東北大多元)

キーワード：イリジウム酸化物、酸フッ化物、トポタクテック反応

Ir酸化物は、大きなスピン軌道相互作用が物性と密接に関わっており、例えば、J_eff = 1/2 モット絶縁体である層状ペロブスカイトSr₂IrO₄が挙げられる。近年、層状ペロブスカイト型遷移金属酸化物の新物質合成・物性制御の手法として、トポタクティック反応を用いたフッ素ドープが有効であることが示された。そこで、本研究では、Sr₂IrO₄薄膜にトポタクティックなフッ素ドープを試み、新たな酸フッ化物であるSr₂IrO_4-xF_y薄膜の作製に成功したので報告する。