[18a-224B-1~10] 17.3 層状物質

[18a-224B-3] コールドウォール有機金属化学気相成長法によるTMD原子層の結晶成長

〇(M1)飯田 智士¹、堀田 貴都¹、篠原 久典¹、北浦 良¹ (1.名大理)

キーワード：原子層物質、遷移金属ダイカルコゲナイド、有機金属化学気相成長

本研究では、制御性の良い結晶成長法として化合物半導体で大きな成功を収めている有機金属化学気相成長(MOCVD)法を原子層に適用することを目的に、コールドウォールタイプのMOCVD 装置を開発し遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)系原子層への適用を検討した。TMDの一種であるMoSe₂のc面サファイア上への結晶成長を試み、各種評価を行った。詳細な結果については当日議論する。