[18a-224B-1~10] 17.3 層状物質

△ [18a-224B-9] DCバイアススパッタ法を用いて作製したMoS₂膜のラマン分光評価

〇小柳 有矢¹、石原 聖也^1,3、日比野 祐介^1,3、澤本 直美¹、大橋 匠²、松浦 賢太郎²、若林 整²、小椋 厚志¹ (1.明治大学、2.東京工業大学、3.学振特別研究員)

キーワード：二硫化モリブデン、バイアススパッタ法、ラマン分光

MoS₂化合物ターゲットを使用したRFマグネトロンスパッタ法によるMoS₂薄膜成長では、基板加熱により膜中に硫黄欠損が生成されることで結晶化が阻害されるなど課題が存在する。我々がこれまでに実施してきた堆積後硫化アニールのような2ステップによる硫黄欠損補填法では、モリブデン原子のマイグレーション不足により結晶性に課題が存在し、1ステップでの硫黄欠損抑制が望まれる。本研究ではスパッタMoS₂作製時、基板に正のDCバイアス電圧を印加することで結晶性が向上することをラマン分光法により確認したので報告する。