[18a-225B-1~9] 3.11 フォトニック構造・現象

[18a-225B-5] 窒化ガリウム（GaN）を用いた可視光領域空孔型トポロジカルフォトニック結晶スラブ導波路の設計

〇石井 空良¹、菊池 昭彦^1,2 (1.上智大理工、2.上智ナノテクセンター)

キーワード：フォトニック結晶、GaN、トポロジカル

誘電体円柱からなる六角形クラスタの三角格子配列フォトニック結晶2次元スラブ導波路においてトポロジカルエッジ伝搬がすることがHuらによって報告された。この成果は、シリコンフォトニック結晶などの実用的な光デバイス応用の可能性を示しており重要な意味を持つ。しかしながら、実際に光波長域でスラブ導波路デバイスを構成する場合、誘電体円柱構造では面外への散乱が生じ、金属による閉込めは損失が大きくデバイス応用が難しい。最近になり、正三角形の空孔を用いたGaAsスラブ導波路の理論計算が報告され、光子の偏光状態を利用する形で実験的な検証も報告された。本研究ではこれらの先行研究に基づき、窒化ガリウム（GaN）を用いた可視領域のトポロジカルフォトニック結晶の作製に向けた基礎的な設計と検討を行った。