[18a-232-1~11] 3.13 Semiconductor optical devices

[18a-232-10] GaInAsP / GaInAsP SCH-MQW laser diode on wafer bonded InP/Si substrate

〇Hirokazu Sugiyama¹, Kazuki Uchida¹, Xu Han¹, Hiromu Yada¹, Gandhi Kallarasan Periyanayagam¹, Masaki Aikawa¹, Natsuki Hayasaka¹, Masaki Matsuura¹, Kazuhiko Shimomura¹ (1.Sophia Univ.)

Keywords:laser diode, InP/Si, Direct bonding

光配線は，電気配線を光配線に置き換えることで，LSIの消費電力や高速大容量通信などの問題を克服する技術です．我々はシリコン基板上への光デバイスの集積方法として，薄膜InP層とSi基板を直接接合して作製したInP / Si基板上に結晶成長する方法を提案している．この方法を用いて，ボイドのない2インチInP / Si基板，1.5µm波長帯のInP / Si基板上半導体レーザを得た[1,2]．本研究では，InP / Si基板上にSCH-MQW構造レーザを実現した．