[18a-232-1~11] 3.13 半導体光デバイス

[18a-232-11] イオン注入により組成混晶化した量子ドットレーザの温度特性の検討

〇松本 敦¹、赤石 陽太²、伊澤 昌平²、松島 裕一³、宇高 勝之² (1.情通機構、2.早大理工、3.早大GCS機構)

キーワード：半導体レーザ、量子ドット、組成混晶

近年、通信容量が急増し、光集積回路を用いた大容量通信ネットワークに向けた研究がされている。一方、我々は、量子ドット(QD)に注目し、イオン注入を用いたQD組成混晶化技術により、結晶再成長を用いずにQDモノリシック光集積回路の作製・基礎特性の実証をしてきた。本稿では、この技術によ作製したLDの温度特性を評価した結果、従来のQD-LDよりも良好な特性が得られたので報告する。