[18a-232-1~11] 3.13 半導体光デバイス

△ [18a-232-8] Si(001)上 InAs / GaAs 量子ドットレーザの 100°C以上連続動作

〇權 晋寛¹、張 奉鎔¹、影山 健生¹、渡邉 克之¹、荒川 泰彦¹ (1.東大ナノ量子機構)

キーワード：量子ドットレーザ、分子線エピタキシー、ヘテロエピタキシー

InAs/GaAs 量子ドットレーザは優れた温度特性および耐転位特性を持つため、シリコンフォトニク ス用光源として注目を浴びている。しかし、GaAs のシリコン上成長は材料特性の違いから起因する Antiphase Domain(APD)及び高密度貫通転位の発生などの問題点を持っている。また、これらを回避するために、シリコン基板上の直接成長による量子ドットレーザの作製は加工基板や GaP などの異種材 料を成長した Artificial Substrate を用いて行われてきた。我々は、無加工シリコン(100)ジャスト基板上量子ドットレーザの室温連続発振について報告している。今回我々はレーザ構造を小型化することで Si (100)ジャスト基板上直接成長された InAs/GaAs 量子ドットレーザの 100°C 以上高温連続発振を確認したので報告する。